O gettering intrínseco refere-se ao gettering que envolve sítios de aprisionamento de impurezas criados pela precipitação de oxigênio supersaturado do silício wafer. A precipitação de oxigênio supersaturado cria aglomerados que crescem continuamente, introduzindo estresse na bolacha à medida que isso acontece.
O que é obter silício?
Gettering é definido como um processo pelo qual as impurezas metálicas na região do dispositivo são reduzidas, localizando-as em regiões predeterminadas e passivas da da pastilha de silício.
O que é obtenção extrínseca?
Gettering extrínseco refere-se a gettering que utiliza meios externos para desenvolver o dano ou tensão na malha de silício de tal forma que defeitos estendidos necessários para capturar impurezas são produzidos. Esses locais de captura quimicamente sensíveis são comumente encontrados na parte traseira do wafer.
Qual é a diferença entre obtenção intrínseca e extrínseca?
Extrinsic Gettering: Refere-se ao gettering que usa meios externos para criar o dano ou estresse na rede de silício de tal forma que defeitos extensos que são necessários para capturar impurezas são formados. … Intrinsic Gettering: Refere-se ao gettering que usa oxigênio que já está presente no cristal.
O que é getter como é útil no método CZ?
O método Czochralski, também técnica Czochralski ou processo Czochralski, é um método de crescimento de cristal usado paraobter cristais simples de semicondutores (por exemplo, silício, germânio e arseneto de gálio), metais (por exemplo, paládio, platina, prata, ouro), sais e pedras preciosas sintéticas.